InvenSense为开创下世代消费性电子产品(CE)市场之MEMS运动处理技术的领导商。如今，许多CE产品已开始采用以三轴加速器(3-axis MEMS accelerometers)为主之运动感测产品。这些运动传感器的功能有限，仅能用来感测最基本的动作，如在Apple iPhone用来侦测手机拿法以决定图片的直立或横式，或在Nintendo Wii移动遥控器来控制游戏功能。InvenSense的技术则将市场由单纯的运动感测带入下世代的运动处理新纪元。

运动处理技术(motion processing)提供真实的1：1运动感测，相较于其他方案，运动处理技术提供更高效率及更多功能，并促成发展下世代更完整的游戏方案，如Wii MotionPlus、由手势控制之手机的开发、3D遥控器与其他种种创新的消费性产品应用。

陀螺仪为运动处理技术采用新世代质块震动MEMS角速度的感测组件。在InvenSense开发出高整合性陀螺仪之前，由于传统之陀螺仪成本高、体积大、结构脆弱，在机械架构或价格考虑上，无法适用于CE产品的主流市场。

InvenSense是针对掌上型CE产品市场需求，发展出多轴角速度陀螺仪的先驱。在2006年，InvenSense便推出世界第一个高效能的双轴陀螺仪，于2007年，InvenSense更发展出针对CE应用之业界最小的双轴陀螺仪，为今日之产业设下指标。如图。.

InvenSense所以能持续推出“世界第一”的MEMS产品，归功于独特与专利之Nasiri-Fabrication制程平台。此技术的关键在于能够将MEMS组件与集成电路组件以晶圆层级直接结合，完全密封MEMS组件，并使MEMS与CMOS晶圆有直接的电气互连(electrical interconnections)。

单一晶圆整合制程利用标准CMOS现有铝金属，达成数千个组件的完全密封，同时提供数十万个MEMS感测组件之电极与CMOS电子电路之间的电气互连(如图)。此技术是InvenSense在成本与效能上的竞争优势。其他制程方式需更高的成本且效率较低，因其制程方式包含添加玻璃陶质原料之硅上盖的密封方式(addition of a silicon cap with a glass-frit seal)，使用吸气剂(getter)来维持真空穏定度(residual gas getters for vacuum reliability)，以陶质封装的密封方式，以及用多芯片方式组合MEMS与 CMOS的包装。Nasiri-Fabrication制程平台以六层光罩的硅体达成高速校正与整合电子电路之MEMS系统阶段测试，此为InvenSense的另一成本优势。

InvenSense另一项领先其他竞争者的关键性技术优势在于专利的反相式(out-of-plane)共振结构。此共振结构为双质量震荡、调节叉式设计(vibrating, dual-mass, tuning fork design)的基石，该设计能够满足消费性市场产品低价位的需求。

震动质量陀螺仪乃基于Coriolis加速效应而形成于两共振结构模式间的能量转换，这个能量转换在旋转参考平面形成与旋转速度成正比。震荡质量陀螺仪通常具有一对震动质量，这一对震动质量会被驱动成相同大小、反方向的震荡。当陀螺仪被旋转时，Coriolis力会产生与旋转速度垂直并成正比的震动力，此震动力可用电容方式感测技术量测取得。

受众多专利保护之Nasiri-Fabrication制程平台，运用创新的MEMS制程技术、硅块(bulk silicon) 制程、低成本、晶圆阶段之包装(wafer-level packaging)与整合技术，达成低价位、单芯片的运动处理方案。

Nasiri-Fabrication制程平台支持广泛的MEMS产品，包括陀螺仪、加速器、旋转感测组件(rotation sensors)、激动器(actuators)、与其他可能的MEMS组件。这个制程特别适合需要激动器的电容式感测MEMS形式或组件。不像许多MEMS惯性传感器制造过程，在与配合芯片之间需要许多连接与焊接，Nasiri-Fabrication制程平台直接焊接MEMS与CMOS，使MEMS与CMOS线路可直接连接。虽然使用市售之晶圆设备，但焊接技术则是唯一，并受专利保护。此焊接使MEMS晶圆的铝金属以低温焊接方式与CMOS晶圆结合，无需增加多一层的铝金属层。Nasiri-Fabrication制程平台将晶圆阶段之整合与包装，在单一制程步骤完成，造成整合小体积、高效能、坚固与低成本的业界新指标。此制程完美的晶圆层级包装与高密封之敏感MEMS结构，带来了耐高温及防潮的功效。

数家主要之MEMS晶圆厂，已可依据Nasiri-Fabrication制程平台，量产相当大的数量，不像其他竞争之陀螺仪技术会受到限制。